西門子S120電源模塊6SL3120-2TE15-0AA4詳解

    具體做法是在閑置的一個(gè)I/O腳（如RB1）和OSC1管腳之間跨接一電阻（R₁），如圖1所示。低速狀態(tài)置RB1=0。需進(jìn)行快速運(yùn)算時(shí)先置RB1=1，由于充電時(shí)，電容電壓上升得快，工作頻率增高，運(yùn)算時(shí)間減少，運(yùn)算結(jié)束又置RB1=0，進(jìn)入低速、低功耗狀態(tài)。工作頻率的變化量依R₁的阻值而定（注意R₁不能選得太小，以防振蕩電路不起振，一般選取大于5kΩ）。
    另外，進(jìn)一步降低功耗可充分利用“sleep"指令。執(zhí)行“sleep"指令，機(jī)器處于睡眠狀態(tài)，功耗為幾個(gè)微安。程序不僅可在待命狀態(tài)使用“sleep"指令來等待事件，也可在延時(shí)程序里使用（見例1、例2）。在延時(shí)程序中使用“sleep"指令降低功耗是一個(gè)方面，同時(shí)，即使是關(guān)中斷狀態(tài)，Port B端口電平的變化可喚醒“sleep"，提前結(jié)束延時(shí)程序。這一點(diǎn)在一些應(yīng)用場(chǎng)合特別有用。同時(shí)注意在使用“sleep"時(shí)要處理好與WDT、中斷的關(guān)系。

了解乘除法函數(shù)對(duì)寄存器的占用

    由于PIC片內(nèi)RAM僅幾十個(gè)字節(jié)，空間特別寶貴，而Mplab-C編譯器對(duì)RAM地址具有不釋放性，即一個(gè)變量使用的地址不能再分配給其它變量。如RAM空間不能滿足太多變量的要求，一些變量只能由用戶強(qiáng)制分配相同的RAM空間交替使用。而Mplab-C中的乘除法函數(shù)需借用RAM空間來存放中間結(jié)果，所以如果乘除法函數(shù)占用的RAM與用戶變量的地址重疊時(shí)，就會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)不可預(yù)測(cè)的結(jié)果。如果C程序中用到乘除法運(yùn)算，最好先通過程序機(jī)器碼的反匯編代碼（包含在生成的LST文件中）查看乘除法占用地址是否與其它變量地址有沖突，以免程序跑飛。Mplab-C手冊(cè)并沒有給出其乘除法函數(shù)對(duì)具體RAM地址的占用情況。例5是乘法函數(shù)對(duì)0×13、0×14、0×19、0×1A地址占用情況。

例5

4 對(duì)芯片重復(fù)編程

    對(duì)無硬件仿真器的用戶，總是選用帶EPROM的芯片來調(diào)試程序。每更改一次程序，都是將原來的內(nèi)容先擦除，再編程，其過程浪費(fèi)了相當(dāng)多的時(shí)間，又縮短了芯片的使用壽命。如果后一次編程的結(jié)果較前一次，僅是對(duì)應(yīng)的機(jī)器碼字節(jié)的相同位由“1"變成“0"，就可在前一次編程芯片上再次寫入數(shù)據(jù)，而不必擦除原片內(nèi)容。
    在程序的調(diào)試過程中，經(jīng)常遇到常數(shù)的調(diào)整，如常數(shù)的改變能保證對(duì)應(yīng)位由“1"變“0"，都可在原片內(nèi)容的基礎(chǔ)繼續(xù)編程。另外，由于指令“NOP"對(duì)應(yīng)的機(jī)器碼為“00"，調(diào)試過程中指令的刪除，先用“NOP"指令替代，編譯后也可在原片內(nèi)容上繼續(xù)編程。
    另外，在對(duì)帶EPROM的芯片編程時(shí)，特別注意程序保密狀態(tài)位。廠家對(duì)新一代帶EPROM芯片的保密狀態(tài)位已由原來的EPROM可擦型改為了熔絲型，一旦程序代碼保密熔絲編程為“0"，可重復(fù)編程的 EPROM 芯片就無法再次編程了。使用時(shí)應(yīng)注意這點(diǎn)，以免造成不必要的浪費(fèi)（Microchip 資料并未對(duì)此做出說明）。

編寫PIC單片機(jī)的源程序，除了源程序的開始處要求嚴(yán)格的列表指令外，還需注意源程序中字母符號(hào)大小寫的有關(guān)規(guī)則，否則在PC機(jī)上匯編源程序時(shí)不會(huì)成功。筆者用下列的PIC16F84單片機(jī)對(duì)B口送數(shù)的源程序(源程序各自定義)為實(shí)例，說明其注意的問題。
　　　LIST　 　 P=PIC16F84
　 　?。NCLUDE P16F84INC
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